UHP前驱体源瓶

材质:316L或特殊材质

氦泄漏率< 4.0 × 10°mbarL/S 。

温度范围:-50°C至+100°C。

表面处理:EP,Ra≤0.25μm

灌装介质:金属有机前驱体材料、硅基前驱体材料及其他高纯前驱体化学品

可装化学品纯度:99.9999%~99.9999999%

全自动轨道焊接技术确保罐体无焊接死角。

稳固的安全设计,所有型号的源瓶都经过破坏性压力测试和高空跌落测试。

与设备厂商充分合作,设计最佳输送管道尺寸和形状,所有管道路线与尺寸已针对饱和度和吞吐量进行了优化。

清晰的标签标识管理,便于安装。

最优产量优化设计,确保了工艺中有机金属化合物的最高收率为≥95%。

易于集成大多数现有的辅助系统和温度控制系统。

采用高质量材料及生产工艺,确保清洁、改装和重复灌装可轻松进行。

  • 尺寸参数
  • 产品特性


 

 

 

 

 

 

 

 

Volume(ML)

Part Number

A(mm)

B(mm)

C(mm)

D(mm)

E(mm)

测温孔

INLET & OUTLET PORT

100

BC-0100

76.2

145

50.8

83

13

VCR-M/F

200

BC-0200

133.4

145

50.8

83

13

VCR-M/F

500

BC-0500

139.7

145

76.2

83

13

VCR-M/F

1000

BC-1000

158.8

135

101.6

83

13

VCR-M/F

1200

BC-1200

184.2

135

101.6

83

13

VCR-M/F

2500

BC-2500

219.7

95.3(135)

168.3

83

13

VCR-M/F

4000

BC-4000

254

135

165.2

83

13

VCR-M/F

5000

BC-5000

304.8

135

165.2

83

13

VCR-M/F

8000

BC-8000

400

127

168.3

83

13

VCR-M/F


前驱体源瓶
       在ALD、CVD等半导体工艺制程中,选择合适的前驱体对工艺控制、薄膜性能等方面至关重要:同时根据前驱体特性,如挥发性、反应性等,配以合适的源瓶对工艺会有协同效应。迈格诺科全新系列源瓶组件通过对选材到成型工艺的高品质把控,能适应绝大部分前驱体封装存储,为整段沉积工艺提供绝佳的安全性和洁净度保障。

为半导体、生物制药和化学沉积行业提供可靠的流体介质存储及输送方案。

      我们提供 400 多种钢瓶型号,容积从 10 毫升到 100 升不等。并通过一系列清洁、改装和气瓶重新认证等业务为客户提供全方位产品服务。
目前,厂房面积有15000㎡,厂内建有通过第三方认证的千级及百级洁净间,并在百级洁净间内配有多套18兆超纯水清洗及气体抽烘置换装置,拥有前驱体源瓶设计、制造、测试、清洁和封装的全制程生产能力。
      目前产品已通过TUVPED4.3 认证,迈格诺科可以响应半导体、食品和制药行业的任何容器要求。如有需求,请致电我们了解更多信息。